FDA70N20 TRANSISTOR MOSFET CANAL N 200V 70A TO220

CARACTERISTICAS:

R DS (encendido) = 35mO (Máx.) @ V GS = 10V, I D = 35A

Carga de puerta baja (Typ. 66nC)

Bajo C rss (Typ. 89pF)

Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

ESPECIFICACIONES TECNICAS:

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-3PN-3

Número de canales: 1 Channel

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V

Id - Corriente de drenaje continua: 70 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 35 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: 30 V

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 150 C

Configuración: Single

Dp - Disipación de potencia : 417 W